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SiC功率器件

發(fā)布時(shí)間: 2024-11-29 來(lái)源: 瀏覽次數:
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??產(chǎn)品概述:

??覆蓋650V-3300VSiCSBD和SiCMOSFET產(chǎn)品,采用第三代精細平面柵/第四代溝槽柵技術(shù)、體二極管續流,比導通電阻最低可到1.8mΩ·cm2

??主要技術(shù)參數:

??可滿(mǎn)足新能源汽車(chē)主驅、OBC、DC/DC、充電樁、新能源發(fā)電、測試電源、軌道交通等復雜、高可靠性應用工況需求。

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